BDTIC DD600S65K3 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation

テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
DD600S65K3
高絶縁型モジュール
highinsulatedmodule
暫定データ/PreliminaryData
BDTIC
VCES = 6500V
IC nom = 600A / ICRM = 1200A
一般応用
• 中圧コンバータ
• 電鉄駆動
TypicalApplications
• MediumVoltageConverters
• TractionDrives
機械的特性
• サーマルサイクル耐量を増加するAlSiCベースプレート
•
•
•
•
MechanicalFeatures
• AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling
Capability
Tstg=-55°Cまで拡張された保存温度
• Extended Storage Temperature down to Tstg =
-55°C
CTI(比較トラッキング指数）>600のモジュールパッケージ• PackagewithCTI>600
10.2kV AC
• Package with enhanced Insulation of 10.2kV AC
1分んまで拡張したモジュールパッケージ
1min
長い縁面/空間距離
• HighCreepageandClearanceDistances
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:DTH
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:DTS
revision:2.1
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
ULapproved(E83335)
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1
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
DD600S65K3
暫定データ
PreliminaryData
Diode、インバータ/Diode,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 125°C
Tvj = 25°C
Tvj = -50°C
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
最大損失
Maximumpowerdissipation
Tvj = 125°C
最小ターンオン時間
Minimumturn-ontime
VRRM 6500
6500
5900
V
IF
600
A
IFRM
1200
A
I²t
300
kA²s
PRQM 2400
kW
BDTIC
ton min 電気的特性/CharacteristicValues
10,0
min.
typ.
max.
3,00
2,95
3,50
µs
順電圧
Forwardvoltage
IF = 600 A, VGE = 0 V
IF = 600 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
VF
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
IF = 600 A, - diF/dt = 2400 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 3600 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
IRM
900
1000
A
A
逆回復電荷量
Recoveredcharge
IF = 600 A, - diF/dt = 2400 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
VR = 3600 V
VGE = -15 V
Qr
700
1300
µC
µC
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
IF = 600 A, - diF/dt = 2400 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
VR = 3600 V
VGE = -15 V
Erec
1100
2400
mJ
mJ
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode（１素子当り）/perdiode
RthJC
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode（１素子当り）/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
16,5
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-50
preparedby:DTH
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:DTS
revision:2.1
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2
V
V
22,0 K/kW
125
K/kW
°C
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IGBT-モジュール
IGBT-modules
DD600S65K3
暫定データ
PreliminaryData
モジュール/Module
絶縁耐圧
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL 10,2
kV
部分放電電圧
Partialdischargeextinctionvoltage
RMS, f = 50 Hz, QPD typ 10 pC (acc. to IEC 1287)
VISOL 5,1
kV
DCスタビリティ
DCstability
Tvj = 25°C, 100 fit
VCE D 3800
V
ベースプレート材質
Materialofmodulebaseplate
AlSiC
内部絶縁
Internalisolation
基礎絶縁(クラス1,IEC61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
AlN
沿面距離
Creepagedistance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
56,0
56,0
mm
空間距離
Clearance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
26,0
26,0
mm
相対トラッキング指数
Comperativetrackingindex
CTI
> 600
BDTIC
内部インダクタンス
Strayinductancemodule
パワーターミナル・チップ間抵抗
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,/スイッチ/perswitch
保存温度
Storagetemperature
min.
typ.
max.
LsCE
25
nH
RAA'+CC'
0,37
mΩ
Tstg
-55
125
°C
取り付けネジ締め付けトルク
Mountingtorqueformodulmounting
取り付けネジM6
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
4,25
-
5,75
Nm
主端子ネジ締め付けトルク
Terminalconnectiontorque
取り付けネジM8
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
8,0
-
10
Nm
G
1000
g
質量
Weight
Dynamische Daten gelten in Verbindung mit FZ600R65KE3 Modul
Dynamic Data valid in conjunction with FZ600R65KE3 module
preparedby:DTH
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:DTS
revision:2.1
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IGBT-モジュール
IGBT-modules
DD600S65K3
暫定データ
PreliminaryData
順電圧特性Diode、インバータ（typical)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=1.3Ω,VCE=3600V
1200
4000
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
1100
Erec, Tvj = 125°C
3500
1000
900
3000
800
2500
BDTIC
E [mJ]
IF [A]
700
600
2000
500
1500
400
300
1000
200
500
100
0
0,0
1,0
2,0
3,0
4,0
0
5,0
0
200
400
600
IF [A]
VF [V]
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=600A,VCE=3600V
800
1000
1200
過渡熱インピーダンスDiode、インバータ
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)
3000
100
Erec, Tvj = 125°C
ZthJC : Diode
2500
10
E [mJ]
ZthJC [K/kW]
2000
1500
1000
1
500
0
i:
1
2
3
4
ri[K/kW]: 3,2
13,66 3,35 1,91
τi[s]:
0,005 0,048 0,313 3,348
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
RG [Ω]
2,5
3,0
0,1
0,001
3,5
0,01
0,1
1
t [s]
preparedby:DTH
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:DTS
revision:2.1
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4
10
100
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IGBT-モジュール
IGBT-modules
DD600S65K3
暫定データ
PreliminaryData
安全動作領域Diode、インバータ(SOA)
safeoperationareaDiode,Inverter(SOA)
IR=f(VR)
Tvj=125°C
1400
IR, Modul
1200
1000
BDTIC
IR [A]
800
600
400
200
0
0
1000
2000
3000 4000
VR [V]
5000
6000
7000
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dateofpublication:2013-11-25
approvedby:DTS
revision:2.1
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IGBT-モジュール
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暫定データ
PreliminaryData
回路図/circuit_diagram_headline
BDTIC
パッケージ概要/packageoutlines
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IGBT-モジュール
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DD600S65K3
暫定データ
PreliminaryData
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
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利用規約
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お問い合わせ願います。　(www.infineon.com参照)
製品にご興味頂き必要があれば、アプリケーションノートを準備させて頂くケースもあります。
技術的な要求によっては、当該製品が危険な物になり得る可能性があります。この様なことが起こる可能性がある場合は、
製品を使用される方の責任にて、弊社セールスオフィスに連絡願います。
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ー　リスク　及び　品質の評価
ー　品質契約
ー　アプリケーションの共同評価　上記の内容の状況に応じて、製品を出荷の判断をさせて頂く場合がございます。
必要に応じて、この規約を関係される方々に送付してください。
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-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
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Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
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