BDTIC FD800R33KF2C-K テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation

テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FD800R33KF2C-K
IHM-Aモジュール
IHM-Amodule
暫定データ/PreliminaryData
BDTIC
VCES = 3300V
IC nom = 800A / ICRM = 1600A
一般応用
• チョッパーアプリケーション
• 電鉄駆動
TypicalApplications
• ChopperApplications
• TractionDrives
機械的特性
• サーマルサイクル耐量を増加するAlSiCベースプレート
MechanicalFeatures
• AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling
Capability
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:SB
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:DTS
revision:2.3
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
ULapproved(E83335)
www.BDTIC.com/infineon
1
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FD800R33KF2C-K
暫定データ
PreliminaryData
IGBT-ブレーキチョッパー/IGBT,Brake-Chopper
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
Tvj = -25°C
VCES
3300
3300
V
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 80°C, Tvj max = 150°C
TC = 25°C, Tvj max = 150°C
IC nom
IC
800
1300
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
1600
A
トータル損失
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 150°C
Ptot
9,60
kW
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
BDTIC
電気的特性/CharacteristicValues
min.
A
A
typ.
max.
3,40
4,30
4,25
5,00
V
V
4,2
5,1
6,0
V
QG
15,0
µC
Tvj = 25°C
RGint
0,63
Ω
入力容量
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
100
nF
帰還容量
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
5,40
nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 3300 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
5,0
mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
400
nA
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-emittersaturationvoltage
IC = 800 A, VGE = 15 V
IC = 800 A, VGE = 15 V
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage
IC = 80,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
VGEth
ゲート電荷量
Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V, VCE = 1800V
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
VCE sat
ターンオン遅れ時間（誘導負荷）
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 800 A, VCE = 1800 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,4 Ω, CGE = 150 nF
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
td on
0,28
0,28
µs
µs
ターンオン上昇時間（誘導負荷）
Risetime,inductiveload
IC = 800 A, VCE = 1800 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,4 Ω, CGE = 150 nF
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
tr
0,18
0,20
µs
µs
ターンオフ遅れ時間（誘導負荷）
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 800 A, VCE = 1800 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,8 Ω, CGE = 150 nF
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
td off
1,55
1,70
µs
µs
ターンオフ下降時間（誘導負荷）
Falltime,inductiveload
IC = 800 A, VCE = 1800 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,8 Ω, CGE = 150 nF
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
tf
0,20
0,20
µs
µs
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse
IC = 800 A, VCE = 1800 V, LS = 40 nH
VGE = ±15 V
RGon = 1,4 Ω, CGE = 150 nF
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Eon
930
1450
mJ
mJ
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse
IC = 800 A, VCE = 1800 V, LS = 40 nH
VGE = ±15 V
RGoff = 1,8 Ω, CGE = 150 nF
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Eoff
870
1000
mJ
mJ
短絡電流
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 2500 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
IGBT部（１素子当り）/perIGBT
RthJC
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
IGBT部（１素子当り）/perIGBT
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
8,00
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:SB
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:DTS
revision:2.3
tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C
www.BDTIC.com/infineon
2
4000
A
13,0 K/kW
K/kW
125
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FD800R33KF2C-K
暫定データ
PreliminaryData
Diode、ブレーキチョッパー/Diode,Brake-Chopper
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
Tvj = -25°C
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
最大損失
Maximumpowerdissipation
Tvj = 125°C
最小ターンオン時間
Minimumturn-ontime
VRRM 3300
3300
V
IF
800
A
IFRM
1600
A
I²t
220
kA²s
PRQM 1600
kW
BDTIC
ton min 電気的特性/CharacteristicValues
10,0
min.
µs
typ.
max.
2,80
2,80
3,50
3,50
V
V
1100
1300
A
A
Qr
500
900
µC
µC
IF = 800 A, - diF/dt = 4500 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
VR = 1800 V
VGE = -15 V
Erec
490
1150
mJ
mJ
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode（１素子当り）/perdiode
RthJC
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode（１素子当り）/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
16,0
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:SB
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:DTS
revision:2.3
順電圧
Forwardvoltage
IF = 800 A, VGE = 0 V
IF = 800 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
VF
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
IF = 800 A, - diF/dt = 4500 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 1800 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
IRM
逆回復電荷量
Recoveredcharge
IF = 800 A, - diF/dt = 4500 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
VR = 1800 V
VGE = -15 V
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
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3
26,0 K/kW
125
K/kW
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FD800R33KF2C-K
暫定データ
PreliminaryData
Diode、リバース/Diode,Reverse
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
Tvj = -25°C
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
最大損失
Maximumpowerdissipation
Tvj = 125°C
最小ターンオン時間
Minimumturn-ontime
VRRM 3300
3300
V
IF
800
A
IFRM
1600
A
I²t
220
kA²s
PRQM 1600
kW
BDTIC
ton min 電気的特性/CharacteristicValues
10,0
min.
µs
typ.
max.
2,80
2,80
3,50
3,50
V
V
1100
1300
A
A
Qr
500
900
µC
µC
IF = 800 A, - diF/dt = 4500 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
VR = 1800 V
Erec
490
1150
mJ
mJ
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode（１素子当り）/perdiode
RthJC
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode（１素子当り）/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
16,0
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:SB
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:DTS
revision:2.3
順電圧
Forwardvoltage
IF = 800 A, VGE = 0 V
IF = 800 A, VGE = 0 V
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
IF = 800 A, - diF/dt = 4500 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 1800 V
Tvj = 125°C
IRM
逆回復電荷量
Recoveredcharge
IF = 800 A, - diF/dt = 4500 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
VR = 1800 V
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
VF
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4
26,0 K/kW
125
K/kW
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FD800R33KF2C-K
暫定データ
PreliminaryData
モジュール/Module
絶縁耐圧
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL 6,0
kV
部分放電電圧
Partialdischargeextinctionvoltage
RMS, f = 50 Hz, QPD ≤ 10 pC (acc. to IEC 1287)
VISOL 2,6
kV
DCスタビリティ
DCstability
Tvj = 25°C, 100 fit
VCE D 1800
V
ベースプレート材質
Materialofmodulebaseplate
AlSiC
内部絶縁
Internalisolation
基礎絶縁(クラス1,IEC61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
AlN
沿面距離
Creepagedistance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
32,2
32,2
mm
空間距離
Clearance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
19,1
19,1
mm
相対トラッキング指数
Comperativetrackingindex
CTI
> 400
BDTIC
内部インダクタンス
Strayinductancemodule
パワーターミナル・チップ間抵抗
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,/スイッチ/perswitch
保存温度
Storagetemperature
min.
typ.
max.
LsCE
12
nH
RCC'+EE'
RAA'+CC'
0,19
0,34
mΩ
Tstg
-40
125
°C
4,25
-
5,75
Nm
1,8
-
2,1
Nm
8,0
-
10
Nm
1500
g
取り付けネジ締め付けトルク
Mountingtorqueformodulmounting
取り付けネジM6
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
主端子ネジ締め付けトルク
Terminalconnectiontorque
取り付けネジM4
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
取り付けネジM8
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
質量
Weight
G
preparedby:SB
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:DTS
revision:2.3
www.BDTIC.com/infineon
5
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FD800R33KF2C-K
暫定データ
PreliminaryData
出力特性IGBT-ブレーキチョッパー(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
出力特性IGBT-ブレーキチョッパー(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=125°C
1600
1600
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
1400
VGE = 20V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 9V
VGE = 8V
1400
1200
1200
1000
1000
IC [A]
IC [A]
BDTIC
800
800
600
600
400
400
200
200
0
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0
VCE [V]
伝達特性IGBT-ブレーキチョッパー(Typical)
transfercharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
スイッチング損失IGBT-ブレーキチョッパー(Typical)
switchinglossesIGBT,Brake-Chopper(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=1.4Ω,RGoff=1.8Ω,VCE=1800V,CGE=150
nF
6000
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
1600
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
1400
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0
VCE [V]
5000
1200
4000
E [mJ]
IC [A]
1000
800
3000
600
2000
400
1000
200
0
5
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
12
0
13
preparedby:SB
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:DTS
revision:2.3
0
200
400
600
800 1000 1200 1400 1600
IC [A]
www.BDTIC.com/infineon
6
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FD800R33KF2C-K
暫定データ
PreliminaryData
スイッチング損失IGBT-ブレーキチョッパー(Typical)
switchinglossesIGBT,Brake-Chopper(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=800A,VCE=1800V,CGE=150nF
過渡熱インピーダンスIGBT-ブレーキチョッパー
transientthermalimpedanceIGBT,Brake-Chopper
ZthJC=f(t)
8000
100
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
7000
ZthJC : IGBT
6000
10
5000
E [mJ]
ZthJC [K/kW]
BDTIC
4000
3000
1
2000
i:
1
2
3
4
ri[K/kW]: 5,85 3,25 0,78 3,12
τi[s]:
0,03 0,1 0,3 1
1000
0
0,1
0,001
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
RG [Ω]
逆バイアス安全動作領域IGBT-ブレーキチョッパー（RBSOA）)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Brake-Chopper
(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=1.8Ω,Tvj=125°C,CGE=150nF
1800
IC, Modul
IC, Chip
1600
0,01
0,1
t [s]
1
10
順電圧特性Diode、ブレーキチョッパー（typical)
forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical)
IF=f(VF)
1600
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
1400
1400
1200
1200
1000
IF [A]
IC [A]
1000
800
800
600
600
400
400
200
200
0
0
500
1000
1500 2000
VCE [V]
2500
3000
0
3500
preparedby:SB
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:DTS
revision:2.3
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VF [V]
www.BDTIC.com/infineon
7
2,5
3,0
3,5
4,0
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FD800R33KF2C-K
暫定データ
PreliminaryData
スイッチング損失Diode、ブレーキチョッパー(Typical)
switchinglossesDiode,Brake-Chopper(typical)
Erec=f(IF)
RGon=1.4Ω,VCE=1800V
スイッチング損失Diode、ブレーキチョッパー(Typical)
switchinglossesDiode,Brake-Chopper(typical)
Erec=f(RG)
IF=800A,VCE=1800V
1600
1600
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 125°C
1400
1400
1200
1200
1000
1000
E [mJ]
E [mJ]
BDTIC
800
800
600
600
400
400
200
200
0
0
200
400
600
0
800 1000 1200 1400 1600
IF [A]
過渡熱インピーダンスDiode、ブレーキチョッパー
transientthermalimpedanceDiode,Brake-Chopper
ZthJC=f(t)
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
RG [Ω]
安全動作領域Diode、ブレーキチョッパー(SOA)
safeoperationareaDiode,Brake-Chopper(SOA)
IR=f(VR)
Tvj=125°C
100
2000
ZthJC : Diode
IR, Modul
1800
1600
1400
10
IR [A]
ZthJC [K/kW]
1200
1000
800
1
600
400
i:
1
2
3
4
ri[K/kW]: 11,7 6,5 1,56 6,24
τi[s]:
0,03 0,1 0,3 1
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
200
0
10
preparedby:SB
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:DTS
revision:2.3
0
500
1000
1500 2000
VR [V]
www.BDTIC.com/infineon
8
2500
3000
3500
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FD800R33KF2C-K
暫定データ
PreliminaryData
順電圧特性Diode、リバース（typical)
forwardcharacteristicofDiode,Reverse(typical)
IF=f(VF)
スイッチング損失Diode、リバース(Typical)
switchinglossesDiode,Reverse(typical)
Erec=f(IF)
RGon=1.4Ω,VCE=1800V
1600
1600
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
1400
Erec, Tvj = 125°C
1400
1200
1200
1000
1000
E [mJ]
IF [A]
BDTIC
800
800
600
600
400
400
200
200
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VF [V]
2,5
3,0
3,5
0
4,0
スイッチング損失Diode、リバース(Typical)
switchinglossesDiode,Reverse(typical)
Erec=f(RG)
IF=800A,VCE=1800V
0
200
400
600
800 1000 1200 1400 1600
IF [A]
過渡熱インピーダンスDiode、リバース
transientthermalimpedanceDiode,Reverse
ZthJC=f(t)
1600
100
Erec, Tvj = 125°C
ZthJC : Diode
1400
1200
10
ZthJC [K/kW]
E [mJ]
1000
800
600
1
400
i:
1
2
3
4
ri[K/kW]: 11,7 6,5 1,56 6,24
τi[s]:
0,03 0,1 0,3 1
200
0
0,1
0,001
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
RG [Ω]
preparedby:SB
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:DTS
revision:2.3
0,01
0,1
t [s]
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9
1
10
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FD800R33KF2C-K
暫定データ
PreliminaryData
安全動作領域Diode、リバース(SOA)
safeoperationareaDiode,Reverse(SOA)
IR=f(VR)
Tvj=125°C
2000
IR, Modul
1800
1600
1400
BDTIC
IR [A]
1200
1000
800
600
400
200
0
0
500
1000
1500 2000
VR [V]
2500
3000
3500
preparedby:SB
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:DTS
revision:2.3
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10
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FD800R33KF2C-K
暫定データ
PreliminaryData
回路図/circuit_diagram_headline
BDTIC
パッケージ概要/packageoutlines
preparedby:SB
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:DTS
revision:2.3
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テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FD800R33KF2C-K
暫定データ
PreliminaryData
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
利用規約
このデータシートに記載されているデータ類は、技術者向けの物です。このデバイスを使用される際は、製品が
使用されるアプリケーションにて、ご評価頂いた上で、アプリケーションに適切かご判断願います。
このデータシートには、保証されている特性が記述されております。
その他、保証内容は個々の契約期間や条件に応じて決定されます。
保証は、アプリケーションやその特性に対しては行いません。
実際のアプリケーションでの利用に関しては、必ず相当モジュールのアセンブリノートをご確認ください。
追加の技術的情報、アプリケーションでの使用方法について、ご質問がある際には、最寄のセールスオフィスに
お問い合わせ願います。　(www.infineon.com参照)
製品にご興味頂き必要があれば、アプリケーションノートを準備させて頂くケースもあります。
技術的な要求によっては、当該製品が危険な物になり得る可能性があります。この様なことが起こる可能性がある場合は、
製品を使用される方の責任にて、弊社セールスオフィスに連絡願います。
BDTIC
航空関連、もしくは医療機器や生命維持装置に使用される場合は、インフィニオンと下記の項目を合意しているか、ご確認願います。
ー　リスク　及び　品質の評価
ー　品質契約
ー　アプリケーションの共同評価　上記の内容の状況に応じて、製品を出荷の判断をさせて頂く場合がございます。
必要に応じて、この規約を関係される方々に送付してください。
インフィニオンにこのデータシートを変更する権利を有します。
Terms&Conditionsofusage
Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill
havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch
application.
Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted
exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits
characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered.
Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof
ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically
interestedwemayprovideapplicationnotes.
Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe
salesoffice,whichisresponsibleforyou.
ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please
note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend
-toperformjointRiskandQualityAssessments;
-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
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dateofpublication:2013-11-25
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revision:2.3
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