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FS75R12KE3_B9 TechnischeInformation/TechnicalInformation

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FS75R12KE3_B9 TechnischeInformation/TechnicalInformation
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FS75R12KE3_B9
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
1200
V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 80°C, Tvj max = 150°C
TC = 25°C, Tvj max = 150°C
IC nom
IC
75
105
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
150
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 150°C
Ptot
355
W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
BDTIC
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
IC = 75 A, VGE = 15 V
IC = 75 A, VGE = 15 V
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 3,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
VCE sat
A
A
typ.
max.
1,70
2,00
2,15
V
V
VGEth
5,0
5,8
6,5
V
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,70
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
10
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
5,30
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,20
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
100
nA
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 75 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 4,7 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
td on
0,26
0,29
µs
µs
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 75 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 4,7 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
tr
0,03
0,05
µs
µs
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 75 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 4,7 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
td off
0,42
0,52
µs
µs
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 75 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 4,7 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
tf
0,07
0,09
µs
µs
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 75 A, VCE = 600 V, LS = 70 nH
VGE = ±15 V, di/dt = 2200 A/µs
RGon = 4,7 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Eon
5,00
7,50
mJ
mJ
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
IC = 75 A, VCE = 600 V, LS = 70 nH
VGE = ±15 V, du/dt = 3200 V/µs
RGoff = 4,7 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Eoff
6,50
9,50
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT
RthJC
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,21
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:CM
dateofpublication:2013-11-04
approvedby:RS
revision:2.0
tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C
www.BDTIC.com/infineon
1
300
A
0,35 K/W
K/W
125
°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FS75R12KE3_B9
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VRRM 1200
V
IF
100
A
IFRM
200
A
I²t
1950
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,65
1,65
2,15
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 100 A, VGE = 0 V
IF = 100 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
VF
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 100 A, - diF/dt = 2200 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 600 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
IRM
50,0
60,0
A
A
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
IF = 100 A, - diF/dt = 2200 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
VR = 600 V
VGE = -15 V
Qr
9,00
18,5
µC
µC
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 100 A, - diF/dt = 2200 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
VR = 600 V
VGE = -15 V
Erec
3,50
6,50
mJ
mJ
proDiode/perdiode
RthJC
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,285
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:CM
dateofpublication:2013-11-04
approvedby:RS
revision:2.0
BDTIC
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
www.BDTIC.com/infineon
2
V
V
0,48 K/W
125
K/W
°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FS75R12KE3_B9
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation
Internalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Kriechstrecke
Creepagedistance
VISOL 2,5
kV
Cu
Al2O3
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
10,0
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
7,5
mm
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
CTI
> 225
BDTIC
min.
typ.
RthCH
0,02
LsCE
19
nH
RCC'+EE'
1,80
mΩ
Tstg
-40
125
°C
SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
3,00
-
6,00
Nm
Gewicht
Weight
G
180
g
preparedby:CM
dateofpublication:2013-11-04
approvedby:RS
revision:2.0
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proModul/permodule
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,proSchalter/perswitch
Lagertemperatur
Storagetemperature
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
www.BDTIC.com/infineon
3
max.
K/W
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FS75R12KE3_B9
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=125°C
150
150
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
135
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
135
120
120
105
105
BDTIC
90
IC [A]
IC [A]
90
75
75
60
60
45
45
30
30
15
15
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VCE [V]
2,5
3,0
0
3,5
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=4.7Ω,RGoff=4.7Ω,VCE=600V
150
20
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
18
125
16
14
100
E [mJ]
IC [A]
12
75
10
8
50
6
4
25
2
0
5
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
0
12
preparedby:CM
dateofpublication:2013-11-04
approvedby:RS
revision:2.0
0
25
50
75
IC [A]
www.BDTIC.com/infineon
4
100
125
150
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FS75R12KE3_B9
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=75A,VCE=600V
TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJC=f(t)
20
1
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
18
ZthJC : IGBT
16
14
BDTIC
ZthJC [K/W]
E [mJ]
12
10
8
0,1
6
4
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,021 0,1155 0,112 0,1015
τi[s]:
0,01 0,02
0,05 0,1
2
0
0
10
20
30
40
0,01
0,001
50
0,01
RG [Ω]
0,1
t [s]
1
10
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=4.7Ω,Tvj=125°C
175
IC, Modul
IC, Chip
200
180
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
150
160
125
140
120
IF [A]
IC [A]
100
75
100
80
60
50
40
25
20
0
0
200
400
600
800
VCE [V]
1000
1200
0
1400
preparedby:CM
dateofpublication:2013-11-04
approvedby:RS
revision:2.0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
VF [V]
www.BDTIC.com/infineon
5
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FS75R12KE3_B9
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=4.7Ω,VCE=600V
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=100A,VCE=600V
10
8
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 125°C
9
7
8
6
7
5
BDTIC
E [mJ]
E [mJ]
6
5
4
4
3
3
2
2
1
1
0
0
20
40
60
80
0
100 120 140 160 180 200
IF [A]
0
5
10
15
20
25
RG [Ω]
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)
1
ZthJC [K/W]
ZthJC : Diode
0,1
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,0288 0,1584 0,1536 0,1392
τi[s]:
0,01
0,02
0,05
0,1
0,01
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
preparedby:CM
dateofpublication:2013-11-04
approvedby:RS
revision:2.0
www.BDTIC.com/infineon
6
30
35
40
45
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FS75R12KE3_B9
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Schaltplan/circuit_diagram_headline
BDTIC
Gehäuseabmessungen/packageoutlines
preparedby:CM
dateofpublication:2013-11-04
approvedby:RS
revision:2.0
www.BDTIC.com/infineon
7
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FS75R12KE3_B9
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Nutzungsbedingungen
DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung
derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese
AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.
IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine
solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien
jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und
MontagehinweisendesModulssindzubeachten.
SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine
spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.
BDTIC
AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin
diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung.
SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden
Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle
-diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen.
Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.
InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.
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havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch
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exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits
characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered.
Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof
ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically
interestedwemayprovideapplicationnotes.
Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe
salesoffice,whichisresponsibleforyou.
ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please
note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend
-toperformjointRiskandQualityAssessments;
-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
preparedby:CM
dateofpublication:2013-11-04
approvedby:RS
revision:2.0
www.BDTIC.com/infineon
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