Technische Information / Technical Information DD B6U 104 N 16 RR N B6

Technische Information / Technical Information
Dioden-Modul mit Chopper-IGBT
Diode Module with Chopper-IGBT
DD B6U 104 N 16 RR
N
B6
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Gleichrichterdiode / Rectifierdiode
Tvj = - 40°C...Tvj max
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
V RRM
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element)
RMS forward current (per chip)
IFRMSM
1600
V
60
A
Ausgangsstrom
output current
TC = 100°C
Id
105
A
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = Tvj max, t p = 10ms
IFSM
650
550
A
A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = Tvj max, t p = 10ms
I²t
2100
1500
A²s
A²s
BDTIC
IGBT
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
V CES
1200
V
50
A
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
TC = 80°C
IC
Periodischer Kollektor-Spitzenstrom
repetitive peak collektor current
t p = 1ms
ICRM
100
A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
TC = 25°C
P tot
350
W
V GE
± 20
V
1200
V
Gate-Emitter Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Schnelle Diode / Fast diode
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
V RRM
Dauergleichstrom
DC forward current
TC = 80°C
IF
25
A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
t p = 1ms
IFRM
50
A
RMS, f = 50Hz, t = 1min
V ISOL
2,5
kV
Modul
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
NTC connected to baseplate
Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichrichterdiode / Rectifierdiode
min. typ. max.
Durchlaßspannung
forward voltage
Tvj = Tvj max, iF = 100A
vF
1,30
V
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
V (TO)
0,75
V
Ersatzwiderstand
forward slope resistance
Tvj = Tvj max
rT
5,5
mΩ
Sperrstrom
reverse current
Tvj = Tvj max, v R = VRRM
iR
5
mA
Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip
lead resistance, terminals-chip
TC = 25°C
RAA`+KK`
1
mΩ
prepared by: Ralf Jörke
approved by: Lothar Kleber
date of publication: 13.12.2000
revision: 1
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14. Dez 00
A 33/00
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Dioden-Modul mit Chopper-IGBT
Diode Module with Chopper-IGBT
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N
B6
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
IGBT
min. typ.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
Tvj = 25°C, iC = 50A, v GE = 15V
Gate-Emitter-Schwellspannung
gate-emitter threshold voltage
max.
v CE sat
2,10
2,5
2,80
V
Tvj = 25°C, iC = 2mA, v GE = v CE
v GE(TO)
4,5 5,5
6,5
V
Eingangskapazität
input capacitance
Tvj = 25°C, f 0 = 1MHz,
Cies
3,3
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
Tvj = 25°C, v CE = 1200V, v GE = 0V
iCES
0,8
4,0
Gate-Emitter Reststrom
gate leakage current
Tvj = 25°C, v CE = 0V, v GE = 20V
Emitter-Gate Reststrom
gate-leakage current
Tvj = 125°C, iC = 50A, v GE = 15V
nF
v CE = 25V, v GE = 0V
1
mA
iGES
500
nA
Tvj = 25°C, v CE = 0V, v EG = 20V
iEGS
500
nA
Durchlaßspannung
forward voltage
Tvj = 25°C, iF = 25A
vF
2,20
V
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
iFM = 25A, -di/dt = 800A/µs, v R = 600V
Tvj = 125°C, v CE = 1200V, v GE = 0V
BDTIC
Schnelle Diode / Fast diode
1,7
1,6
Tvj = 125°C, iF = 25A
Qr
2,3
6,0
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
µAs
µAs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Gleichrichter / Rectifier, Θ = 120°rect
Innerer Wärmewiderstand
RthJC
max.
max.
max.
1,08
0,38
1,00
°C/W
°C/W
°C/W
RthCK
max.
max.
max.
0,25
0,24
0,30
°C/W
°C/W
°C/W
150
°C
Transistor / Transistor, DC
Schnelle Diode / Fast diode, DC
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Gleichrichter / Rectifier
Transistor / Transistor
Schnelle Diode / Fast diode
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Tvj max
Betriebstemperatur
operating temperature
Tc op
- 40...+150
°C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
- 40...+150
°C
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Dioden-Modul mit Chopper-IGBT
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N
B6
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
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Innere Isolation
internal insulation
Al2O3
CTI
comperative tracking index
225
Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung
mounting torque
Toleranz / tolerance ±15%
Gewicht
weight
M1
4
G
typ.
185
V
Nm
g
BDTIC
Kriechstrecke
creepage distance
12,5
Schwingfestigkeit
vibration resistance
50
f = 50Hz
mm
m/s²
Temperatursensor / Temperature sensor
Nennwiderstand
rated resistance
TC = 25°C
R25
Verlustleistung
power dissipation
TC = 25°C
P25
B-Wert
B-value
R 2 = R1 exp [B(1/T1 - 1/T2)]
B25/50
5
kΩ
20
mW
R 100 = 493Ω ± 5%
max.
3375
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung
mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
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K
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Dioden-Modul mit Chopper-IGBT
Diode Module with Chopper-IGBT
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N
B6
BDTIC
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Dioden-Modul mit Chopper-IGBT
Diode Module with Chopper-IGBT
DD B6U 104 N 16 RR
N
B6
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC, Netz-Diode
Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC, rectifier diode
BDTIC
Pos. n
1
R thn [° C / W ] 0,4063
τn [ s ]
0,0300
2
3
4
0,3034
0,0497
0,0309
0,0190
0,0140
0,0003
Analytische Funktion:
Z thJC =
5
6
t
−

τn

R
1
−
e
∑ thn 
n =1





nmax
7
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Dioden-Modul mit Chopper-IGBT
Diode Module with Chopper-IGBT
DD B6U 104 N 16 RR
N
B6
200
180
160
Tvj = 150°C
BDTIC
140
i F [A]
120
100
80
60
40
20
0
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1
1,2
1,4
1,6
1,8
vF [V]
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)
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2
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Dioden-Modul mit Chopper-IGBT
Diode Module with Chopper-IGBT
DD B6U 104 N 16 RR
N
B6
150
140
130
BDTIC
120
110
TC [°C]
100
90
80
70
60
50
40
B2: 180°sin
B6: 120°rect
30
20
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
Id [A]
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperatur TC = f(Id)
Parameter: Stromrichterschaltung / converter circuit
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Dioden-Modul mit Chopper-IGBT
Diode Module with Chopper-IGBT
DD B6U 104 N 16 RR
N
B6
1000
BDTIC
200A
50A
Qr [µAs]
20A
100
5A
10
1
10
100
- di/dt [A/µs]
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj = Tvjmax; v R = 0,5VRRM; v RM = 0,8VRRM
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iFM
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Dioden-Modul mit Chopper-IGBT
Diode Module with Chopper-IGBT
DD B6U 104 N 16 RR
N
B6
1,40
60° rect
1,20
BDTIC
120° rect
1,00
180° rect
180° sin
0,80
ZthJC [°C/W]
DC
0,60
0,40
0,20
0,00
0,001
0,01
0,1
1
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand Gleichrichter / Transient thermal impedance converter ZthJC = f(t)
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
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Dioden-Modul mit Chopper-IGBT
Diode Module with Chopper-IGBT
DD B6U 104 N 16 RR
N
B6
100
90
80
BDTIC
70
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
i C [A]
60
50
40
30
20
10
0
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
vCE [V]
Ausgangskennlinienfeld Brems-Chopper-IGBT (typisch) / Output characteristic brake-chopper-IGBT (typical)
iC = f(vCE), v GE = 15V
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4
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Dioden-Modul mit Chopper-IGBT
Diode Module with Chopper-IGBT
DD B6U 104 N 16 RR
N
B6
50
40
BDTIC
Tvj = 125°C
Tvj = 25°C
i F [A]
30
20
10
0
0
0,5
1
1,5
2
2,5
vF [V]
Durchlaßkennlinie der Brems-Chopper-Diode (typisch) / On-state characteristic of brake-chopper-FWD (typical)
iF = f(vF)
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Dioden-Modul mit Chopper-IGBT
Diode Module with Chopper-IGBT
DD B6U 104 N 16 RR
N
B6
100
BDTIC
R [kΩ ]
10
1
0,1
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
140
150
T [°C]
NTC-Temperaturkennlinie (typisch) / NTC-temperature characteristic (typical) R = f(T)
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