BDTIC TDB6HK180N16RR TechnischeInformation/TechnicalInformation

TechnischeInformation/TechnicalInformation
TDB6HK180N16RR
IGBT-Module
IGBT-modules
EconoPACK™2Modul
EconoPACK™2module
VorläufigeDaten/PreliminaryData
VCES = 1200V
IC nom = 180A / ICRM = 360A
BDTIC
TypischeAnwendungen
• AktiverGleichrichter
• HalbgesteuerteB6-Brücke
TypicalApplications
• ActiveRectifier
• HalfControlledB6-bridge
MechanischeEigenschaften
• 2,5kVAC1minIsolationsfestigkeit
• Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen
Widerstand
• HoheLeistungsdichte
• HohemechanischeRobustheit
• IsolierteBodenplatte
• KompaktesDesign
• Kupferbodenplatte
• Lötverbindungstechnik
• RoHSkonform
• Standardgehäuse
MechanicalFeatures
• 2.5kVAC1minInsulation
• Al2O3SubstratewithLowThermalResistance
•
•
•
•
•
•
•
•
HighPowerDensity
Highmechanicalrobustness
IsolatedBasePlate
Compactdesign
CopperBasePlate
SolderContactTechnology
RoHScompliant
StandardHousing
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:NK
dateofpublication:2013-08-19
approvedby:RS
revision:2.0
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
ULapproved(E83335)
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1
TechnischeInformation/TechnicalInformation
TDB6HK180N16RR
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
VRRM 1600
V
DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip
TC = 80°C
MaximumRMSforwardcurrentperchip
IFRMSM 150
A
GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom
MaximumRMScurrentatrectifieroutput
TC = 80°C
IRMSM 180
A
StoßstromGrenzwert
Surgeforwardcurrent
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
IFSM
1600
1400
A
A
Grenzlastintegral
I²t-value
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
I²t
13000
9500
A²s
A²s
BDTIC
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
VF
1,20
V
Tvj = 150°C
VTO
0,83
V
Ersatzwiderstand
Sloperesistance
Tvj = 150°C
rT
2,30
mΩ
Sperrstrom
Reversecurrent
Tvj = 150°C, VR = 1600 V
IR
1,00
mA
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode
RthJC
RthCH
0,165
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Tvj = 150°C, IF = 150 A
Schleusenspannung
Thresholdvoltage
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
preparedby:NK
dateofpublication:2013-08-19
approvedby:RS
revision:2.0
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2
0,35 K/W
K/W
TechnischeInformation/TechnicalInformation
TDB6HK180N16RR
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Thyristor-Gleichrichter/Thyristor-rectifier
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
VRRM 1600
V
DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip
TC = 80°C
MaximumRMSforwardcurrentperchip
IFRMSM 150
A
GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom
MaximumRMScurrentatrectifieroutput
TC = 80°C
IRMSmax 180
A
StoßstromGrenzwert
Surgeforwardcurrent
tP = 10ms, Tvj = 25°C
tP = 10ms, Tvj = 130°C
IFSM
1550
1300
A
Grenzlastintegral
I²t-value
tP = 10ms, Tvj = 25°C
tP = 10ms, Tvj = 130°C
I²t
12000
8450
A²s
kritischeStromsteilheit
Criticalrateofriseofon-statecurrent
DIN IEC 60 754-6
f = 50Hz, iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs
(di/dt)cr 100
A/µs
kritischeSpannungssteilheit
Criticalrateofriseofon-statevoltage
Tvj = 130, vD = 0,67 VDRM
(dv/dt)cr 1000
V/µs
BDTIC
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
VF
1,30
V
Tvj = 130°C
V(TO)
-
0,85
V
Ersatzwiderstand
Sloperesistance
Tvj = 130°C
rT
-
3,20
mΩ
Zündstrom
Gatetriggercurrent
Tvj = 25°C, vD = 6 V
IGT
100
mA
Zündspannung
Gatetriggervoltage
Tvj = 25°C, vD = 6 V
VGT
2,0
V
NichtzündenderSteuerstrom
Gatenon-triggercurrent
Tvj = 130°C, vD = 6 V
Tvj = 130°C, vD = 0,5 VDRM
IGD
6,0
3,0
mA
NichtzündendeSteuerspannung
Gatenon-triggervoltage
Tvj = 130°C, vD = 0,5 VDRM
VGD
0,3
V
Haltestrom
Holdingcurrent
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5 Ω
IH
220
mA
Einraststrom
Latchingcurrent
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK ≥ 20 Ω
iGM = 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs, tg = 10 µs
IL
550
mA
Zündverzug
Gatecontrolleddelaytime
DIN IEC 747-6
Tvj = 25°C, iGM = 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs
tgd
1,2
µs
Freiwerdezeit
Circuitcommutatedturn-offtime
Tvj = 130°C, iTM = 50 A
vRM = 100 V, VDM = 0,67 VDRM
dVD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
tq
150
µs
Sperrstrom
Reversecurrent
Tvj = 130°C, VR = 1600 V
IR
ID
-
5,00
mA
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proThyristor/perThyristor
RthJC
RthCH
0,14
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Tvj = 130°C, IF = 150 A
Schleusenspannung
Thresholdvoltage
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proThyristor/perThyristor
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
preparedby:NK
dateofpublication:2013-08-19
approvedby:RS
revision:2.0
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3
0,30 K/W
K/W
TechnischeInformation/TechnicalInformation
TDB6HK180N16RR
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
1200
V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 80°C, Tvj = 175°C
TC = 25°C, Tvj = 175°C
IC nom
IC
100
140
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
200
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj = 175°C
Ptot
515
W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
BDTIC
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 100 A, VGE = 15 V
IC = 100 A, VGE = 15 V
IC = 100 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 3,55 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
VCE sat
A
A
typ.
max.
1,75
2,05
2,10
2,20
V
V
V
VGEth
5,0
5,8
6,5
V
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,80
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
7,5
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
6,30
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,27
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
100
nA
td on
0,16
0,17
0,17
µs
µs
µs
tr
0,03
0,04
0,04
µs
µs
µs
td off
0,33
0,43
0,45
µs
µs
µs
tf
0,08
0,145
0,17
µs
µs
µs
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 100 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 100 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 100 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 100 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 100 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH
VGE = ±15 V
RGon = 1,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Eon
5,50
8,50
9,50
mJ
mJ
mJ
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
IC = 100 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH
VGE = ±15 V
RGoff = 1,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Eoff
5,50
8,50
9,50
mJ
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C
ISC
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT
RthJC
RthCH
0,135
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
preparedby:NK
dateofpublication:2013-08-19
approvedby:RS
revision:2.0
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4
360
A
0,29 K/W
K/W
TechnischeInformation/TechnicalInformation
TDB6HK180N16RR
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VRRM 1200
V
IF
50
A
IFRM
100
A
I²t
510
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,70
1,65
1,65
2,15
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 50 A, VGE = 0 V
IF = 50 A, VGE = 0 V
IF = 50 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VF
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 50 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 600 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
54,0
60,0
63,0
A
A
A
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
IF = 50 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 600 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
5,50
8,80
10,0
µC
µC
µC
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 50 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 600 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
1,70
3,00
3,70
mJ
mJ
mJ
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode
RthJC
RthCH
0,375
BDTIC
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
preparedby:NK
dateofpublication:2013-08-19
approvedby:RS
revision:2.0
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5
V
V
V
0,81 K/W
K/W
TechnischeInformation/TechnicalInformation
TDB6HK180N16RR
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation
Internalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Kriechstrecke
Creepagedistance
VISOL 2,5
kV
Cu
Al2O3
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
10,0
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
7,5
mm
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
CTI
> 200
BDTIC
min.
typ.
RthCH
0,02
LsCE
50
nH
Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper
Gleichrichter/rectifier
Tvj max
175
130
°C
°C
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper
Gleichrichter/rectifier
Tvj op
-40
-40
150
130
°C
°C
Lagertemperatur
Storagetemperature
Tstg
-40
125
°C
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
3,00
-
6,00
Nm
Gewicht
Weight
G
180
g
preparedby:NK
dateofpublication:2013-08-19
approvedby:RS
revision:2.0
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proModul/permodule
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
HöchstzulässigeSperrschichttemperatur
Maximumjunctiontemperature
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6
max.
K/W
TechnischeInformation/TechnicalInformation
TDB6HK180N16RR
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
TransienterWärmewiderstandThyristor-Gleichrichter
transientthermalimpedanceThyristor-rectifier
ZthJC=f(t)
AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
1
200
ZthJC: Thyristor DC
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
180
160
140
0,1
BDTIC
IC [A]
ZthJC [K/W]
120
100
80
0,01
60
40
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,018 0,099 0,096 0,087
τi[s]:
0,01 0,02 0,05 0,1
0,001
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
20
0
10
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VCE [V]
DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical)
IF=f(VF)
100
90
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
80
70
IF [A]
60
50
40
30
20
10
0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
VF [V]
preparedby:NK
dateofpublication:2013-08-19
approvedby:RS
revision:2.0
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7
2,5
3,0
3,5
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
TDB6HK180N16RR
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Schaltplan/circuit_diagram_headline
BDTIC
Gehäuseabmessungen/packageoutlines
Infineon
preparedby:NK
dateofpublication:2013-08-19
approvedby:RS
revision:2.0
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8
TechnischeInformation/TechnicalInformation
TDB6HK180N16RR
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Nutzungsbedingungen
DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung
derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese
AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.
IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine
solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien
jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und
MontagehinweisendesModulssindzubeachten.
SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine
spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.
BDTIC
AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin
diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung.
SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden
Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle
-diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen.
Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.
InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.
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preparedby:NK
dateofpublication:2013-08-19
approvedby:RS
revision:2.0
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9