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AN6032 FAN4800 Combo 概述 PFC
www.fairchildsemi.com 应用指南 AN6032 FAN4800 Combo 控制器应用 概述 PFC 级 本应用指南介绍高性能电源的逐步设计步骤。本文档中 的等式还可用于不同输出电压和总功率的计算。 FAN4800 上电 C12 通过 R27 和 R28 充电至 13V 后,FAN4800 就会被初 始化。 PFC 开关动作可使 C5 增压至 380V (通过 L1 电 感)。T2 随后会向 FAN4800 的次级绕组提供一个经过良 好调节的 13V 电压。 T2 的初级与次级匝数比 (NPRI / NSEC) 等于 18.8:1。 为确保电路正常工作,提供具有低 ESR 的陶瓷或薄膜电容作为 VCC 和 VREF 的高频旁路电 容。如果 D2 在升压开关 Q1 开启之前将升压电容快速充 电至峰值交流线路电压,那么在一启动时就能实现有序 的 PFC 操作。这能确保升压电感电流在 PFC 动作开始 前为零。C5 上调节电压的值必须始终高于提供给电源的 图 6 和图 7 中所示的完整电源电路表明 FAN4800 能在管 理高输出功率的同时符合有关交流线路质量的国际标 准。 PFC 部分可为双晶体管电流模式正向转换器提供 380VDC 电源。转换器可提供输出电流最高为 8.4A 的 +12V 电压。该电路的工作电压为 85 至 265VAC,两个 电源部分均以 100kHz 频率开关。 D2 1N5406 L1 F1 3.15A VDC / +380V BR1 4A, 600V KBL06 AC INPUT C1 85 TO 265Vac 0.68uF R2A 453k Q1 FQPF9N50 R21 22 D9 MBRS 140 Q2 FQPF 6N50 R17 33 R7A 178k C25 0.1uF R30 4.7k D5 RGF1J R28 240 R1B 500k R3 110k C5 100uF 450V C4 10nF R27 75k R2B 453k C3 0.1uF Q2G Q1G R1A 500k ISENSE R5D R5C 1.2 R5B 1.2 R5A 1.2 1.2 D3 RGF1J D1 ISL9R460P2 T1B C12 10uF 35V C30 330uF 25V R7B 178k D7 MMBZ5245B C2 0.47uF Q3G R4 15.4k R6 41.7k T1A R20A 2.2 U1 IEAO R20B 2.2 R19 220 R9 1.1k FAN4800 1 D6 RGF1J RAMP2 / DC ILIMIT R15 3 C7 NOT USED C6 1.5nF R12 71.5k Q3 FQPF6N50 C20 1uF R10 6.2k R31 100 T2 R14 33 VEAO 16 VFB 15 VREF 14 Q4 MMBT3904 VFB 2 IAC 3 ISENSE 4 VRMS VCC 13 5 SS PFC OUT 12 6 VDC PWM OUT 11 10 D4 MMBZ5245B VREF R13 10k VCC R11 845k C10 15uF RAMP1 7 RAMP1 GND 8 RAMP2 DC ILIMIT D8 MBRS 140 9 D12 1N5401 D13 1N5401 D10 MBRS 140 R8 2.37k C26 100nF C19 1uF R16 10k C31 1nF C16 1uF C15 10nF C14 1uF C13 0.1uF C9 10nF C8 68nF C18 470pF VDC C11 10nF C17 220pF PRI GND 图 1. PFC 级 © 2006 飞兆半导体公司 FAN4800 Rev. 1.0.2 • 12/07/06 www.fairchildsemi.com 应用指南 AN6032 最大线路电压的峰值。 VC 5 > 2Vin( rms _ max) (1) VC 5 > ( 1.414 ) × ( 265 ) VC 5 > 375V D= use 380V = ( 2) = ( 380 ) ⋅ (1 × 105 ) ⋅ (0.15 ) ⋅ (100 ) 1 4 2Vin( rms _ min) − 2 3π VO I Q1 peak = I in( peak _ max) + ( 3) = ( 4) = 2PO(max) ηVin( rms _ min) + (8) 4 ⋅ ( 1.414 ) ⋅ ( 85 ) 1 − 2 3 ⋅ ( 3.1416 ) ⋅ ( 380 ) ΔI 2 (V O ) − 2Vin( rms _ min) ⋅ 2Vin( rms _ min) VO ⋅ f S ⋅ L1 (9) (1.414 ) ⋅ (100 ) + {380 − ( 1.414 ) ⋅ ( 85 )} ⋅ (1.414 ) ⋅ ( 85 ) (0.95 ) ⋅ ( 85 ) ( 380 ) ⋅ (1 × 105 ) ⋅ ( 3 × 10 −3 ) = 2.025 A 其 中, Iin(peak_max) 是 低 压 时 的 输 入 电 流 峰 值, Vin(rms_min) 是最小线路电压有效值,PO(max) 是最大输出 功率, h 是效率。 Iin(peak_max) 定义 DI 的值,其中 dI 是 指定的百分率。 IL(max) 是电感最大电流。 升压二极管平均电流可由下式计算得出: I D1avg = I O(max) ( 5) ΔI = dI × I in( peak _ max) use 3.0mH 1 4 2Vin( rms _ min) − 2 3π VO (1.414 ) ⋅ ( 100 ) ( 0.95 ) ⋅ ( 85 ) = 1.06 A I L(max) = I in( peak _ max) + {380 − (1.414 ) ⋅ ( 85 )} ⋅ ( 85 ) ⋅ (0.95 ) ηVin( rms _ min) FAN4800 PFC 部分采用连续电感电流工作,可将峰值电 流减至最小,同时实现最大可用功率。升压电感值通过 设定高频电流的峰峰值 DI 而得,通常为最大线路电流峰 值的 10% 到 20%。 η ) − 2Vin( rms _ min) ⋅ Vin( rms _ min)2 ⋅η VO ⋅ f S ⋅ dI ⋅ PO(max) 2PO(max) = PO(max) O I Q1rms = 2I in( rms _ max) 选择功率元件 Pin(max) = (V 升压二极管 D1 和开关 Q1 在 500V 反向电压额定值条件 下选定,可安全地耐受 380V 升压。最大 Q1 有效值电流 通过等式 8 可获得,最大 Q1 峰值电流通过等式 9 可计 算得出。 R7 A + R7 B = 151 R8 2Pin(max) (7) f S × ΔI = 3.128mH R7 A + R7 B VC 5 = −1 R8 2.5 Vin( rms _ min) D × 2Vin( rms _ min) 2 = 分压比 (R7A+R7B)/R8 由下式计算得出: I in( peak _ max) = ( 6) VO L1 = 由于 FAN4800 使用跨导放大器,环路补偿网络将返回至 地(有关误差放大器的特性 / 优势,请参见 FAN4800 数 据手册) 。这样可消除阻性分压器网络与环路补偿电容 之间的相互影响,允许较宽的分压值选择范围,从而最 大程度降低输入偏置电流导致的放大器失调电压。为确 保可靠操作, R7A 和 R7B 必须具有至少 400V 的电压额 定值。 R7 A + R7 B 380 = −1 R8 2.5 VO − 2Vin( rms _ min) = ΔI = 2 占空比 D 和开关频率 fS 影响电感选型。 PO(max) VO (10 ) 100 = 0.26 A 380 如果线路电压被突然移除,则选择允许给定输出电压保 持时间的升压电容值。 C5 ≥ 2PO(max)tHLD VC 5( NOM )2 − VC 5( MIN )2 (11) 其中: tHLD = 保持时间 (秒) VC5(min) = C5 上的最小电压,此时 PWM 级依然可输出 全部功率 使用前沿 / 后沿调制的一个重要优势是:大部分电感电流 © 2006 飞兆半导体公司 FAN4800 Rev. 1.0.2 • 12/07/06 www.fairchildsemi.com 2 应用指南 AN6032 输出电流为 228.57mA。 会直接 “ 倾泻 ” 至负载 (PWM 级变压器)而非升压电 容。这样可以降低升压电容的 ESR 要求。例如,选择 C5 的最大纹波电流额定值 (频率为 120Hz)时,应使用等 式 12 作为起始点。 I C5 _ rms = (I peak IO( C5 ) ( R1A + R1B ) ≥ ( R1A + R1B ) ≥ (12 ) 2 = 2 ⋅ IC5 _ rms ) k 2Vin( rms _ min) (VEAO(max) − 0.625 ) 228.57 × 10 −6 (0.35 ) ⋅ (1.414 ) ⋅ ( 85 )(6 − 0.625 ) (17 ) 228.57 × 10 −6 use 1M Ω ( R1A + R1B ) ≥ 989.38kΩ (12a ) 4. 选择电流感测电阻值,完成功率设置元件的计算。 选择功率设置元 R5 A || R5 B || R5C || R5 D ≤ PFC 级提供的最大平均功率可通过下列步骤设置: 1. 确 定 一 个 阻 性 分 压 比,使 最 小 线 路 电 压 条 件 下 的 VRMS 引脚电压等于 1.14V。该引脚处的电压必须经 过良好滤波,同时要能够良好响应瞬变线路电压的变 化。 R4 1.14 ⋅ π = RTOT 2 2Vin( rms _ min) RMULO ⋅ kM (VEAO(max) − 0.625 ) ⋅η (18) PO(max) ( R1A + R1B ) ( 3.5 × 10 ) ⋅ ( 2529 )(6 − 0.625 ) ⋅ (0.95 ) (100 ) (1 × 10 ) 3 R5 A || R5 B || R5C || R5 D ≤ R5 A || R5 B || R5C || R5 D ≤ 0.452Ω (13) 6 use 0.3Ω 其中: RMULO = 乘法器输出端接电阻 (3.5k)。 典型示例中的电阻和电容值根据经验可知,提供最低 的纹波电压,同时仍然能对线路电压的变化作出良好 响应。若所需比例与等式 13 中的差别较大,则可根 据等式 14 和 15 调节滤波器电容值。 C3 = RTOT 2π f 1 ⋅ ( R2 A + R2 B ) ⋅ ( R3 + R4 ) ⎛ ⎞ R4 ⋅ RTOT ⎜⎜ 1 + ⎟ + ⋅ + R R R R ( 2 A 2 B ) ( 3 4 ) ⎟⎠ C2 = ⎝ 2π f 2 ⋅ R4 电压环路补偿 稳定的 PFC 部分的最大瞬态响应可在开环交越频率等于 线路频率的一半时获得。对于该应用,补偿元件 (极点 / 零点对)的选择依据为:闭环响应以 20dB/ 十倍频程速 度下降,在 30Hz 时交越单位增益,然后立即下降至 40dB/ 十倍频程。误差放大器极点设为 30Hz,有效零点 为该频率的十分之一,即 3Hz。确定功率级的交越频率 (GPS = 1)。例如,等式 20 中可确定功率级极点,而等式 21 可确定功率级直流增益。 (14 ) (15) 其中: VBOOST f1 = 15Hz, f2 = 23Hz R7 RTOT = R2A + R2B + R3 + R4 FB VEAO 15 16 2. 在等式 16a 中确定乘法器增益 k 的比例常数 kM。要 在低于最低输入电压的情况下进行 “ 掉电 ” 操作,那 么在确定 kM 值时,必须使用乘法器的最大增益。最 大增益 (0.35) 在乘法器的 VRMS 输入等于 1.14V 时获 得。等式 16 是乘法器增益与线路电压关系的一般表 达式。 k= kM Vrms 2 R11 2.5V C9 C8 图 2. 电压放大补偿 (16 ) (16a ) kM = kVin( rms _ min)2 = ( 0.35 ) ⋅ ( 85 ) R8 2 = 2528.75 ≈ 2529 3. — 选择 (R1A+R1B) 的值,在不使输出饱和的情况下, 该值要能使乘法器输出电流达到最大。乘法器的最大 © 2006 飞兆半导体公司 FAN4800 Rev. 1.0.2 • 12/07/06 www.fairchildsemi.com 3 应用指南 AN6032 设定误差放大器高频增益的 R11 值可由下式确定 : fC = = Pin(max) 2π VO (VEAO(max) − 0.625 ) C5 PO(max) 2πηVO (VEAO(max) − 0.625 ) C5 55.29 70 × 10 −6 = 789.8k Ω = use 845kΩ 计算 C8 ;该值与 R11 一同将零电平频率设为 3Hz。 = 82.02Hz C8 = 1 π RLC5 ( 25 ) = (19 ) 100 = ( 2 ) ⋅ ( 3.1416 ) ⋅ (0.95 ) ⋅ ( 380 ) ⋅ (6 − 0.625 ) ⋅ (100 × 10 −6 ) fP = GEA gM R11 = ( 20 ) = 1 3.1416 1444 ⋅ ( )( ) ⋅ (100 × 10 −6 ) 1 2π R11 f Z ( 26 ) 1 ( 2 ) ⋅ ( 3.1416 ) ⋅ ( 845 × 103 ) ⋅ ( 3) = 62.8nF = 2.20Hz use 68nF 由于极点频率是零点频率的十倍,因此极点电容 C9 是 C8 的十分之一。 其中: C8 10 68 × 10 −9 = 10 = 6.8nF ( 27 ) C9 = V 2 RL = O PO(max) GPS ( DC ) = = 2 fC fP ( 21) (1.414 ) ⋅ ( 82.02 ) = 52.72 电流环路补偿 2.20 ( 34.44dB ) 电流环路补偿与电压环路补偿类似,但开环交叉频率的 选择有所不同。为了避免与电压环路相互作用,电流环 路带宽应当比电压环路交越频率高十倍,但不超过开关 频率的六分之一,即 16.7kHz。功率级的交越频率通过 等式 28 计算得出,极点频率通过等式 29 计算得出,功 率级直流增益通过等式 30 计算得出。 30Hz 时的功率级增益可由下式计算得出: fC 30 82.02 = 30 = 2.734 ( 8.736dB ) GPS( 30 Hz ) = use 10nF ( 22 ) VREF 根据等式 23,功率级增益可通过阻性分压器 (R7A+R7B)/ R8 进行衰减: GND 3.5k R12 14 R8 R7 A + R7 B + R8 C6 VREF 10 1 VEAO IEAO IAC GRDIV = C7 R5A R5B R5C R5D ( 23) 3.5k ISENSE 2.37 = 178 + 178 + 2.37 = 6.613 × 10 −3 ( −43.59dB ) 3 图 3. 电流放大补偿 使开环增益在 30Hz 时变为单位增益所需的误差放大器 增益量是功率级增益与分频级增益之和的负数(衰减): GEA = − ( GPS( 30 Hz ) + GRDIV ) ( 24 ) = − ( 8.736 + ( −43.59 ) ) = 34.854dB ( 55.29V / V ) © 2006 飞兆半导体公司 FAN4800 Rev. 1.0.2 • 12/07/06 www.fairchildsemi.com 4 应用指南 AN6032 极点电容 C7 是 C6 的十分之一。 fC = = ( R5 A || R5B || R5C || R5D )VO 2π L1VRAMP( P−P ) C6 10 1.5 × 10 −9 = 10 = 150 pF ( 28 ) (0.3)( 380 ) ( 2 ) ⋅ ( 3.1416 ) ⋅ ( 3 × 10−3 ) ⋅ ( 2.75 ) = 2.2kHz fP = = 1 PWM 级 ( 29 ) π RLC5 软启动 PWM 级 1 ( 3.1416 ) ⋅ (1444 ) ⋅ (100 × 10−6 ) = 2.20Hz = FAN4800 具有专用的软启动引脚,可控制输出电压的上 升速率,同时防止上电过冲。 PFC 电压到达其标称值之 前,控制器都不会发起软启动操作,从而可防止 PFC 电 流过大导致的输出电压停止。如果发生 FAN4800 电源丢 失事件或 PFC 升压降低到 228VDC 以下, PWM 操作便 会终止。延迟为 50ms 时的电容值 (C19) 可由等式 36 确 定。 same as (20) 2 fC fP GPS( DC ) = ( 30 ) (1.414 ) ⋅ ( 2.20 × 103 ) 2.20 = 1414 ⎛ 20 × 10 −6 ⎞ C19 = ( tSS ) ⋅ ⎜ ⎟ ⎝ 0.95 ⎠ ⎛ 20 × 10 −6 ⎞ = ( 0.05 ) ⋅ ⎜ ⎟ ⎝ 0.95 ⎠ ( 63.0dB ) 确定 16.7kHz 时的电源级增益。 fC 16.7 × 10 3 2.20 × 10 3 = 16.7 × 10 3 = 1.32 × 10 −1 ( 31) GPS( 16.7 kHz ) = ( 35) C7 = ( 36 ) = 1μ F 设置振荡器频率 ( −17.60dB ) 提供一个版本的 FAN4800。在 FAN4800IN 中,PFC 和 PWM 的工作频率相同。 电流环路不含衰减电阻,因此误差放大器可由下式获得: GEA = − ( −GPS( 16.7 kHz ) ) FAN4800IN ( 32 ) 一般而言,最好选择一个小数值电容 C18,使振荡器占 空比最大 (C18 放电时间最小)。电容值过小会增加振 荡器对于相位调制 (由进入该节点的杂散场电压电感造 成)的敏感度。实际情况中,选择的 C18 的值为 470pF。 等式 37 中大于 10k 的 R6 的值都是准确的。 = − ( −17.60 ) = 17.60dB (7.58V / V ) 确定电流误差放大器设置电阻 R12 的阻值。 R12 = R6 ≅ GEA ( 33) g M ( CE ) 7.58 85 × 10 −6 = 89.2k Ω ≅ = = ( 37 ) 1 (0.51) ⋅ (1 × 105 ) ⋅ ( 470 × 10 −12 ) ≅ 41.7k Ω use 71.5k Ω 限流 计算 1.67kHz 时形成零点的 C6 值。 C6 = 1 0.51 ⋅ f SW C18 1 2π R12 f Z PWM 功率级在电流模式下工作,使用 R20A 和 R20B 产 生电压斜坡,用于占空比控制。 FAN4800 通过内部 1V 比较器限制最大初级端电流;超过最大初级端电流则会 ( 34 ) 1 ( 2 ) ⋅ ( 3.1416 ) ⋅ (71.5 × 103 ) ⋅ (1.67 × 103 ) = 1.33nF use 1.5nF © 2006 飞兆半导体公司 FAN4800 Rev. 1.0.2 • 12/07/06 www.fairchildsemi.com 5 应用指南 AN6032 D3 RGF1J VDC / +380V Q2G C5 100uF 450V Q2 FQPF 6N50 R17 33 R7A 178k C25 0.1uF T1B R7B 178k C12 10uF 35V R30 4.7k D5 RGF1J D7 MMBZ5245B D11A MBR2545CT D11B MBR2545CT Q3G Q3 FQPF6N50 T1A R20A 2.2 VEAO 15 ISENSE VREF 14 VRMS VCC 13 3 4 R23 1.5k R22 8.66k C22 4.7uF U2 MOC8112 Q4 MMBT3904 R26 10k D4 MMBZ5245B VREF C23 100nF R13 10k U3 TL431A R25 2.26k VCC 5 SS 6 VDC 7 RAMP1 8 RAMP2 PFC OUT 12 PWM OUT 11 GND 10 DC ILIMIT D8 MBRS 140 9 12V RET 12V RETURN R11 845k C10 15uF R16 10k D10 MBRS 140 R8 2.37k C19 1uF R18 220 R9 1.1k VFB IAC R24 1.2k R20B 2.2 16 VFB 2 D6 RGF1J R19 220 FAN4800 IEAO C21 2200uF 25V RAMP2 / DC ILIMIT R15 3 C7 NOT USED C6 1.5nF U1 1 C24 1uF C20 1uF R10 6.2k R12 71.5k 12V, 100W T2 R14 33 R6 41.7k 12V L2 C16 1uF C15 10nF C31 1nF C14 1uF C13 0.1uF C9 10nF C8 68nF C18 470pF VDC C11 10nF C17 220pF PRI GND 图 4. PVM 级 求解等式 40 即可得到斜坡电阻值。斜坡电容值应当在 470pF ~ 10nF 的范围内。选择具有适当电压额定值、能 耐受升压的电阻。 终止驱动至外部功率 MOSFET。最大初级端电流为: I PRI ( MAX ) = 1 R20 A || R20 B ( 38) 2.2 + 2.2 2.2 × 2.2 = 0.91Amps = RRAMP = σ ( MAX ) ⎛ ⎞ VREF C RAMP f SW ln ⎜ 1 − ⎟ V + 0.5V O R ⎠ ⎝ ( 40 ) 电压模式 (前馈) 其中: 若使用了电压模式控制,则必须知道 C5 的峰值电压,以 便选择合适的斜坡生成元件。等式 39 可确定最差情况下 的 C5 峰峰值纹波电压。要确定峰值电压,可将纹波电压 除以 2,然后将其与调节后的升压相加。请记住,由于 FAN4800 采用前沿 / 后沿调制,因此实际峰峰纹波电压 通常远低于计算值。 2 VR( C 5 ) = I OUT ( C 5 ) ⎛ 1 ⎞ 2 ⎜ ⎟ + ESR ( C5 ) ⎝ 4π f LC5 ⎠ s(MAX) = 最大 PWM 占空比 (FAN4800 为 0.45) VR = 等式 39 中的峰峰升压电容纹波电压。 功率变压器匝数比 T2 次级端的最小输出电压可通过等式 41 确定。 选择的 ( 39 ) 其中: fL = 线路频率 © 2006 飞兆半导体公司 FAN4800 Rev. 1.0.2 • 12/07/06 www.fairchildsemi.com 6 应用指南 AN6032 要重新选择某些元件,从 PFC 级开始考虑。 T2 匝数比 必须根据等式 42 调节,并加入另一个具有相同匝数比的 低电流次级端绕组,其初始电压为 +12V。该次级绕组对 于 TL431/ 光电电路的供电而言是必需的,因为 3.3V 输 出不足以完全偏置反馈电路。可能会增大 C21 以降低输 出纹波电压。图5显示的是提供16A电流的3.3V输出级。 次级端电压为 30V,可增加输出电压保持时间。 VOUT VSEC( MIN ) = σ ( MAX ) + VF ( 41) 12 + 1.0 0.45 = 27.7Volts = 变压器匝数比由等式 42 获得: N PRI VO = N SEC VSEC( MIN ) UF4001 ( 42 ) 3.3V, 16A 380 30 : N SEC = 38 : 3 = N PRI VOUTPUT L2 D11A C24 D11B C21 T2 输出短路的最大次级端电流由等式 43 限定: I SEC( MAX ) = I PRI ( MAX ) N PRI N SEC R23 ( 43) R22 10.2k C22 U2 MOC8112 (0.91) ⋅ ( 38 ) = 3 = 11.5Amps R26 U3 TL431A 选择的输出电感和整流器具有高于最大次级端电流的最 大额定电流。 输出滤波器元件选型 C23 R25 31.6k 图 5. 3.3V 输出级 选择的 L2 值能最大限度地有效减小输出纹波电流,从而 放宽对滤波器电容的 ESR 要求。 C21 的 ESR 值是输出 纹波的主导因素。所需的最大 ESR 值在等式 44 中确定: ESR( C 21 ) ≤ VR L2 f SW VSECσ ( MAX ) ( 44 ) 其中: VR = 峰峰输出纹波电压。 输出电压补偿 TL431 分流调节器 U3 和光电隔离器 U2 执行输出电压设 置与调节。光电元件跨接在初级到次级的安全边界上, 改变 VDC 引脚电压,保持输出电压恒定不受线路和负载 变化的影响。使用电流模式控制可简化环路补偿,使输 出级只有单极点和零点。极点由输出电容和等效负载电 阻形成。零点由滤波器电容及其 ESR 形成。本例中,零 点操作就发生在闭环响应越过单位增益后,因此极点不 对其进行补偿。输出极点被取消,通过将 R26 与 C23 相 加增加总带宽,与 TL431 形成零点。有关使用 TL431 的 更多信息,包括增益 / 相位与频率特性的关系,请参见飞 兆半导体 TL431 数据手册。 3.3V 输出设计变化 最新的微处理器和支持电路要求采用 3.3V 电源确保正常 工作。 FAN4800 非常适合这些应用,包括节能环保的 “ 绿色 ”PC。若所需的总输出功率远大于 100W,则有必 © 2006 飞兆半导体公司 FAN4800 Rev. 1.0.2 • 12/07/06 www.fairchildsemi.com 7 FAN4800 Rev. 1.0.2 • 12/07/06 © 2006 飞兆半导体公司 8 D13 1N5401 D12 1N5401 RAMP1 R5D R5C 1.2 R5B 1.2 R5A 1.2 1.2 ISENSE AC INPUT C1 85 TO 265Vac 0.68uF F1 3.15A R31 100 C26 100nF C3 0.1uF C19 1uF R4 15.4k C2 0.47uF R3 110k R2B 453k R2A 453k BR1 4A, 600V KBL06 C18 470pF R1B 500k R1A 500k C11 10nF C30 330uF 25V R27 75k 8 7 6 5 4 3 2 1 R21 22 RAMP2 RAMP1 VDC SS VRMS ISENSE IAC U1 C7 NOT USED C6 1.5nF R10 6.2k R6 41.7k R28 240 C4 10nF Q1 FQPF9N50 D1 ISL9R460P2 DC ILIMIT GND PWM OUT PFC OUT VCC VREF VFB VEAO FAN4800 R12 71.5k D9 MBRS 140 D2 1N5406 IEAO Q1G L1 9 10 11 12 13 14 15 16 C5 100uF 450V C17 220pF C12 10uF 35V D8 MBRS 140 R7B 178k R7A 178k R8 2.37k C31 1nF VFB D10 MBRS 140 C15 10nF T1A R15 3 C20 1uF R9 1.1k R20A 2.2 C16 1uF VCC C13 0.1uF C14 1uF R11 845k R20B 2.2 T2 D11B MBR2545CT C8 68nF VREF C9 10nF R16 10k R13 10k Q4 MMBT3904 NOTE : PRI GND C10 15uF R23 1.5k C24 1uF VDC U3 TL431A U2 MOC8112 L2 R26 10k C22 4.7uF R25 2.26k C23 100nF R24 1.2k C21 2200uF 25V R22 8.66k R18 220 12V RETURN 12V RET 12V, 100W 12V L1; PREMIER MAGNETICS TDS-1047 L2; PREMIER MAGNETICS VTP-05007 T1; PREMIER MAGNETICS PMGO-03 T2; PREMIER MAGNETICS TSO-735 VDC / +380V D11A MBR2545CT RAMP2 / DC ILIMIT D6 RGF1J D5 RGF1J Q3 FQPF6N50 Q2 FQPF 6N50 D4 MMBZ5245B R19 220 Q3G D7 MMBZ5245B R14 33 T1B R30 4.7k Q2G C25 0.1uF R17 33 D3 RGF1J AN6032 应用指南 图 6. 完整的 100W 电路(电流模式) www.fairchildsemi.com FAN4800 Rev. 1.0.2 • 12/07/06 © 2006 飞兆半导体公司 9 D13 1N5401 D12 1N5401 RAMP1 R5D R5C 1.2 R5B 1.2 R5A 1.2 1.2 ISENSE AC INPUT C1 85 TO 265Vac 0.68uF F1 3.15A R31 100 C26 100nF C3 0.1uF C19 1uF R4 15.4k C2 0.47uF R3 110k R2B 453k R2A 453k BR1 4A, 600V KBL06 C18 470pF R1B 500k R1A 500k 8 7 6 5 4 3 2 1 R21 22 C11 C27 10nF 470pF C30 330uF 25V R27 75k RAMP2 RAMP1 VDC SS VRMS ISENSE IAC U1 C7 NOT USED C6 1.5nF R10 6.2k R6 41.7k R28 240 C4 10nF Q1 FQPF9N50 D1 ISL9R460P2 R29 61.9k DC ILIMIT GND PWM OUT PFC OUT VCC VREF VFB VEAO FAN4800 R12 71.5k D9 MBRS 140 D2 1N5406 IEAO Q1G L1 9 10 11 12 13 14 15 16 C5 100uF 450V C17 220pF C12 10uF 35V D8 MBRS 140 R7B 178k R7A 178k R8 2.37k C31 1nF VFB D10 MBRS 140 C15 10nF T1A R15 3 C20 1uF R9 1.1k R20A 2.2 C16 1uF VCC C13 0.1uF C14 1uF R11 845k R20B 2.2 T2 D11B MBR2545CT C8 68nF VREF C9 10nF R16 10k R13 10k Q4 MMBT3904 NOTE : PRI GND C10 15uF R23 1.5k C24 1uF VDC U3 TL431A U2 MOC8112 L2 R26 10k C22 4.7uF R25 2.26k C23 100nF R24 1.2k C21 2200uF 25V R22 8.66k R18 220 12V RETURN 12V RET 12V, 100W 12V L1; PREMIER MAGNETICS TDS-1047 L2; PREMIER MAGNETICS VTP-05007 T1; PREMIER MAGNETICS PMGO-03 T2; PREMIER MAGNETICS TSO-735 VDC / +380V D11A MBR2545CT RAMP2 / DC ILIMIT D6 RGF1J D5 RGF1J Q3 FQPF6N50 Q2 FQPF 6N50 D4 MMBZ5245B R19 220 Q3G D7 MMBZ5245B R14 33 T1B R30 4.7k Q2G C25 0.1uF R17 33 D3 RGF1J AN6032 应用指南 图 7. 完整的 100W 电路(电压模式) www.fairchildsemi.com 应用指南 AN6032 DISCLAIMER FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RESERVES THE RIGHT TO MAKE CHANGES WITHOUT FURTHER NOTICE TO ANY PRODUCTS HEREIN TO IMPROVE RELIABILITY, FUNCTION, OR DESIGN. FAIRCHILD DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING OUT OF THE APPLICATION OR USE OF ANY PRODUCT OR CIRCUIT DESCRIBED HEREIN; NEITHER DOES IT CONVEY ANY LICENSE UNDER ITS PATENT RIGHTS, NOR THE RIGHTS OF OTHERS. LIFE SUPPORT POLICY FAIRCHILD’S PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF THE PRESIDENT OF FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION. As used herein: 2.A critical component is any component of a life support device or system whose failure to perform can be reasonably expected to cause the failure of the life support device or system, or to affect its safety or effectiveness. 1.Life support devices or systems are devices or systems which, (a) are intended for surgical implant into the body, or (b) support or sustain life, or (c) whose failure to perform when properly used in accordance with instructions for use provided in the labeling, can be reasonably expected to result in significant injury to the user. © 2006 飞兆半导体公司 FAN4800 Rev. 1.0.2 • 12/07/06 www.fairchildsemi.com 10