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AN-9760 SPM PCB设计指南 引言
www.fairchildsemi.com AN-9760 SPM®PCB设计指南 引言 考虑因素 逆变器系统电路板正变得越来越紧凑和复杂,同时对功 率密度的要求也越来越高。使用飞兆半导体的智能功率 模块(SPM®)即可从容应对挑战。PCB布局设计对于改善可 靠性、提升性能和制造性,同时最大程度降低噪声至关 重要。 寄生电感、电阻和电容 由流过寄生电感的di/dt引起的电压尖峰 电源地、信号地的布局走线 无源组件的布局 本应用指南描述了PCB布局设计的多个考虑因素和指导 原则。 通用PCB指南 图 1 显示PCB布局整体设计指南,按重要性排序并编号为1至12。 图 1. © 2012 飞兆半导体公司 修订版 1.0.0 • 8/26/13 PCB整体布局 www.fairchildsemi.com 应用指南 AN-9760 能够耐受的最大电压值,就会损坏IC。通常,SPM中的 IC击穿电压为25V,例如: 杂散电感的影响 高开关噪声可能导致逆变器系统故障。只要IGBT打开和 关断,就会由电路板主电流路径上的杂散电感产生浪涌 电压。图 2 和 图 3 包括Ls1和Ls2,它们是PCB布局中 的杂散电感。在IGBT打开和关断的瞬间会出现很高的 di/dt。这个di/dt是由电压VLS1和VLS2引起的。为了最 大程度地降低寄生电感,使走线应尽可能短是非常重要 的。 VCC + VLS1 + VSR1 + VLS2 + VLS3 < 25V 若VCC为15V,VLS1 + VSR1 + VLS2 + VLS3应低于10V。 构成Ls1和Ls2的PCB布线应当尽可能短,因为这些走线 位于驱动电机的大电流路径上。 在使用多个分流电阻感测多相电流的应用中,最大程度 地降低Ls1和Ls2会更困难。这种情况下建议使用表贴封 装电阻。要使用无感电阻。 Motion SPM® VCC VB 自感的计算公式为: DBS (Include RBS) VCC(H) CBS CVCC HVIC COM VCC(L) ON VB VCC IN(H) OFF IN(H) VS Q1 HO D1 VS 3Ø (2) M IN(L) COM LVIC iO VSL + VLS2 - - VLS3 + L表示PCB布线长度,单位mm; Ls1 W表示PCB布线宽度,单位mm; Shunt R T表示PCB布线厚度,单位mm。 Ls2 Ls3 图 2. 其中: D2 LO + VLS1 + VSR1 - iGL VDC Q2 VCC IN(L) COM Ls4 LVIC栅极驱动路径 Motion SPM® VCC 图 4. VB DBS (Include RBS) OFF IN(H) VS VCC(L) ON IN(L) COM VCC IN(H) VB HVIC D1 VS COM 3Ø M IN(L) COM LVIC LO 300 D2 iO VSL + VLS1 + VSR1 - iBS - VLS3 + + VLS2 - Ls3 图 3. VDC Q2 VCC W=0.4 mm W=1.0 mm W=2.0 mm W=4.0 mm W=8.0 mm 250 Ls1 Shunt R Ls2 Ls4 自举电容充电路径 200 150 100 50 2 显示了当低端输入信号导通时低端栅极电流(iGL) 图 的路径,该电流经过IGBT Q2的栅极到达发射极和LVIC ,并且从VCC到达LO。低端IGBT栅极充电路径包括寄生电 感和分流电阻,因为LVIC VSL未连接Q2发射极。 0 0 50 100 150 200 PCB Pattern Length [mm] 3 表示自举电流的路径:当Q2或D2导通时,(iBS)经 图 过IGBT Q2的集电极到达发射极和VCC ,再经过VB到达VS 。此自举电容(CBS)的充电电流路径也包含寄生电感和分 流电阻。 图 5. 1oz铜片PCB杂散电感图 6 和 图 7 是一个实际应用的PCB布线图 走线上的 图 蓝色线条表示信号路径。图 8 和 图 9 是利用示波器 得到的实测值。图 6 中 图 7以黄色箭头标出测量点。 这些表明了PCB布线中杂散电感的重要性。 一旦iO有快速变化,Ldi/dt引起的电压就会影响IGBT发 射极到IC的COM端的电压。因此,若该电压尖峰超过IC © 2012 飞兆半导体公司 修订版 1.0.0 • 8/26/13 PCB布线定义 5 显示了在不同的PCB布线宽度下PCB布线长度与杂 图 散电感的关系,其中镀铜厚度为1盎司(即0.035mm)。 Q1 HO Stray Inductance [nH] VCC(H) CBS CVCC (1) www.fairchildsemi.com 2 应用指南 AN-9760 图 8. 图 6. 改善前的地线噪声 改善前的PCB布线 100ns/div 图 9. 改善后的地线噪声 CSC信号的电流感测 图 7. CSC图 10输入信号对于检测过流情况,并防止系统损坏 而言非常重要。 显示了不同的CSC 接线点。通过CSC 布线 可最大程度减小Ls1的噪声影响。当CSC接线是在A点连接 时,CSC 电压受走线电阻上方的Ls1的影响。该走线的电 阻使跳变电平下降,因为它相当于为分流电阻增加一个 串联电阻。Ls1在流过反向恢复电流时会产生电压尖峰 ,因此需要一个具有较大时间常数的滤波器,以避免误 触发。建议连接点为 图 10中的B点。它也可以应用于 电流反馈电路中。应当尽量减小Ls2,以获得可靠的电 流保护和测量性能。 改善后的PCB布线 改善PCB布线之前的杂散电感约为120nH,它被降低至 35nH左右,如公式 (2)所示。产生的电压可计算如下: [V] (3) 若IGBT开关时的di/dt为250A/µs,则VS计算如下: Motion SPM® VCC VS_修改前 = 120nH x 250A/µs = 30V VB DBS (Include RBS) VS_修改后 = 30nH x 250A/µs = 8.75V VCC(H) CBS PCB布线改善前的实测峰值电压为 31.58V,改善后为 5.94V。 IN(H) VS VCC(L) CVCC 虽然这种测量并非100%可靠,但31.58V也超过了SPM内 部IC的击穿电压。重复尖峰会逐步损坏IC,并可能最终 导致器件故障。设计人员需尽量减少主电流路径的寄生 电感,以便增强可靠性并降低EMI噪声。 IN(L) COM VB VCC IN(H) HVIC COM Q1 HO D1 VS 3Ø M VDC Q2 VCC IN(L) COM LVIC LO iSC D2 VSL Point A Ls1 CSC Point B RF Shunt R CCSC Ls2 Ls3 图 10. © 2012 飞兆半导体公司 修订版 1.0.0 • 8/26/13 Ls4 PCB布局中的电流感测点 www.fairchildsemi.com 3 应用指南 AN-9760 VCC和COM之间的电容应靠近SPM放置,如 图 13所示。图 14 和 图 15 显示在1oz铜片和20mil宽度下,VCC上的纹 波随着电容和VCC-COM之间的距离而改变。建议使用齐纳 二极管防止浪涌电压。 Ch1故障输出 Ch2 Csc输入电压 Ch4电流5A/div 图 11. 图 12. CSC来自A点时的波形 图 14. C16到VCC和COM的距离为20mm 图 15. C16到VCC和COM的距离为5mm CSC来自B点时的波形 自举电容的位置 11 和 图 12 显示了两个CSC 测量点的不同之处。该 图 测试中使用了一个20mΩ的分流电阻。CSC 阈值电平为 0.5V,因此,过流触发电平为25A直流。就实际电流而 言,从A点测量有较低的触发电平值,但CSC 电压基本相 同。由于使用了时间常数为1.8µs的RC滤波器,并且从 内部比较器到PWM关断和故障输出之间存在额外传输延 迟,因此电流达到触发电平值后将继续上升。请不要被 实际的触发电平所迷惑,并得出结论说A点的结果更好 。 VB和VS图 16之间的电容应靠近SPM放置,如 所示。更长 的PCB布线会导致更高的峰值浪涌电压。当VS在开关瞬间 为负值时,VBS可上升至超过VCC。建议加入一个齐纳二极 管,以防止浪涌电压。 VCC和COM之间电容的位置 图 16. 图 13. © 2012 飞兆半导体公司 修订版 1.0.0 • 8/26/13 VBS处的器件布局(SPM®) VCC-COM之间的器件布局(SPM®) www.fairchildsemi.com 4 应用指南 AN-9760 17 和 图 18显示VBS的纹波电压随着电容到VB和VS的 图 距离不同的变化。 缓冲电容的位置 一般建议使用0.1~2.2µF薄膜电容作为缓冲电容。若在 错误的位置安装了缓冲电容,如 图 16中的位置A,则 无法有效抑制浪涌电压。位置B具有最佳的噪声抑制性 能,但该缓冲电容的充放电电流无法反映在分流电阻上 ,从而使电流反馈测量或过流保护功能出现错误。位置 C是一个合理的折衷位置,其抑制性能优于位置A,且不 会影响电流检测信号精度。因此,通常使用位置C。 Incorrect position of snubber capacitor Correct position of snubber capacitor P C 图 17. A Capacitor Bank 实验结果(C1到VBS距离为10mm) B Motion SPM® Wiring Leakage Inductance Nu,Nv,Nw Please make the connection point as close as possible to the terminal of shunt resistor COM Shunt Resistor Wiring inductance should be less than 10nH. For example, width > 3mm, thickness = 100m, length < 17mm in copper pattern 图 20. 图 18. 直流链路缓冲电容位置 实验结果(C1到VBS距离为50mm) 用于输入信号的RC滤波器 VIN RC滤波器可防止错误的IGBT开关动作。采用RC滤波 器时,请记住,可能会发生PWM伏秒失真现象,并且可 能会降低PWM性能。 图 19. SPM®RC滤波器中的元件布局 若PCB布局良好,则内部下拉电阻即可胜任工作,但通 常还是会使用额外的强下拉电阻使其工作更可靠。 © 2012 飞兆半导体公司 修订版 1.0.0 • 8/26/13 www.fairchildsemi.com 5 应用指南 AN-9760 相关资源 FNA40560 — 智能功率模块Motion SPM® FNA40860 — 智能功率模块Motion SPM® FNA41060 — 智能功率模块Motion SPM® FNA41560 — 智能功率模块Motion SPM® FNB40560 — 智能功率模块Motion SPM® FNB41060 — 智能功率模块Motion SPM® FNB41560 — 智能功率模块Motion SPM® AN-9071 — µMini DIP SPM®封装的智能功率模块Motion SPM®热性能信息 AN-9072 — µMini DIP SPM®封装的智能功率模块Motion SPM®安装指南 RD-344 — FNA41560 参考设计(单检流电阻方案) RD-345 — FNA41560 参考设计(三检流电阻方案) http://www.fairchildsemi.com/models/modelHome http://www.fairchildsemi.com/products/evaluationboards/ DISCLAIMER FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RESERVES THE RIGHT TO MAKE CHANGES WITHOUT FURTHER NOTICE TO ANY PRODUCTS HEREIN TO IMPROVE RELIABILITY, FUNCTION, OR DESIGN. FAIRCHILD DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING OUT OF THE APPLICATION OR USE OF ANY PRODUCT OR CIRCUIT DESCRIBED HEREIN; NEITHER DOES IT CONVEY ANY LICENSE UNDER ITS PATENT RIGHTS, NOR THE RIGHTS OF OTHERS. LIFE SUPPORT POLICY FAIRCHILD’S PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF THE PRESIDENT OF FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION. As used herein: 1. Life support devices or systems are devices or systems which, (a) are intended for surgical implant into the body, or (b) support or sustain life, or (c) whose failure to perform when properly used in accordance with instructions for use provided in the labeling, can be reasonably expected to result in significant injury to the user. © 2012 飞兆半导体公司 修订版 1.0.0 • 8/26/13 2. A critical component is any component of a life support device or system whose failure to perform can be reasonably expected to cause the failure of the life support device or system, or to affect its safety or effectiveness. www.fairchildsemi.com 6